Arnaudov, B. G.

• Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) - Άρθρα
  Electrical investigations on heavily doped semiconductors: theory versus experiment = Μελέτη ηλεκτρικών ιδιοτήτων ημιαγωγών ισχυρής προσμείξεως
  Λεπτομέρειες  PDF
• Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) - Άρθρα
  Luminescence investigations on heavily doped semiconductors (on the base of gallium arsenide) = Μελέτη φθορισμού ημιαγωγών με μεγάλη συγκέντρωση προσμείξεων: περίπτωση GaAs
  Λεπτομέρειες  PDF
• Τόμ. 20, Αρ. 2 (1980) - Άρθρα
  Near band - edge photoconductivity in heavily doped conpensated epitaxial gallium arsenide layers = Φωτοαγωγιμότης κοντά στην ακμή ταινίας σε επιταξιακά επίπεδα Ga - As με ισχυρή διάχυση προσμείξεων
  Λεπτομέρειες  PDF