Πίνακας Περιεχομένων
Άρθρα
|
Εισαγωγικά στοιχεία
Anonymous
|
|
|
Galvanomagnetic measurements to distinquish among different environments or to ascertain anisotropic behaviour independent from the crystal symmetry = Γαλβανομαγνητικές μετρήσεις για τη διάκριση ανάμεσα σε διαφορετικά περιβάλλοντα ή για την εξακρίβωση ανισότροπης συμπεριφοράς ανεξάρτητης από την κρυσταλλική συμμετρία
Δημήτριος Σ. Κυριάκος, Ο. Ε. Βασιλειάδης, Κ. Γ. Παπαδημητρίου, Ν. Α. Οικονόμου
|
1-22
|
|
A Differential evaluation of I - V characteristics of one - carrier semiconducting crystals: application of CdS single crystals = Διαφορική αποτίμηση χαρακτηριστικών τάσης - έντασης σε ημιαγωγούς ενός είδους φορέων: εφαρμογή σε κρυστάλλους CdS
Αλέξανδρος Αναγνωστόπουλος, Α. Καρούτης, Ιωάννης Ε. Σπυριδέλης
|
23-30
|
|
On the mobility of current carriers in tin telluride = Επί της ευκινησίας φορέων στο SnTe
M. Moldovanova, R. Assenov
|
31-36
|
|
Electrical investigations on heavily doped semiconductors: theory versus experiment = Μελέτη ηλεκτρικών ιδιοτήτων ημιαγωγών ισχυρής προσμείξεως
I. Y. Yanchen, B. G. Arnaudov
|
37-60
|
|
On the anomalous high temperature electrical resistivity behaviour of Cu55 - Ni45 alloy = Η ανώμαλη συμπεριφορά της ειδικής ηλεκτρικής αντίστασης του κράματος Cu55 - Ni45
Σ. Χατζηβασιλείου, Ιωάννης Α. Τσουκαλάς, Ελένη Παπαδημητράκη-Χλίχλια, Γιάννης Γ. Αντωνόπουλος, Θεόδωρος Σ. Καρακώστας, Ν. Α. Οικονόμου
|
61-65
|
|
Luminescence investigations on heavily doped semiconductors (on the base of gallium arsenide) = Μελέτη φθορισμού ημιαγωγών με μεγάλη συγκέντρωση προσμείξεων: περίπτωση GaAs
B. G. Arnaudov
|
67-82
|
|
Infrared and Raman studies of the vibrational properties of amorphous semiconductors = Μελέτη των άμορφων ημιαγωγών με φασματοσκοπία υπερύθρου και Raman
Δημήτριος Ι. Σιάπκας
|
83-124
|
|
Infrared photoconductivity in heavily doped and highly compensated gallium arsenide = Υπέρυθρη φωτοαγωγιμότητα στο GaAs με ισχυρή πρόσμειξη και μεγάλη αποκατάσταση
P. Gladkov, K. Ozanyan
|
125-131
|
|
Long wavelength optical lattice vibrations and structural phase transition in mixed a - In2S3 - xSex crystals = Οπτικές δονήσεις μεγάλου μήκους κύματος και δομική μεταβολή φάσεως στους μικτούς a - In2S3 - xSex κρυστάλλους
Κωνσταντίνος Α. Καμπάς, Ιωάννης Ε. Σπυριδέλης
|
133-136
|
|
Study of optical properties: direct and indirect absorption edges = Μελέτη οπτικών ιδιοτήτων: άμεσο και έμμεσο ενεργειακό χάσμα
Α. Π. Λάμπρος, Ν. Α. Οικονόμου
|
137-154
|
|
Photocapacitance studies on P - I - N InP: Fe structures = Μελέτη φωτοχωρητικότητας σε P - I - N InP: Fe δομές
A. S. Popov, A. Y. Bahnev
|
157-162
|
|
A Method for determination of "Frequency dependence effects" in the infrared plasma spectra of semiconductors = Μια μέθοδος προσδιορισμού των φαινομένων εξάρτησης από τη συχνότητα στα υπέρυθρα φάσματα πλάσματος των ημιαγωγών
Δημήτριος Ι. Σιάπκας
|
163-175
|
|
Near band - edge photoconductivity in heavily doped conpensated epitaxial gallium arsenide layers = Φωτοαγωγιμότης κοντά στην ακμή ταινίας σε επιταξιακά επίπεδα Ga - As με ισχυρή διάχυση προσμείξεων
S. Evtimova, B. G. Arnaudov
|
177-183
|
|
Detects in cuprous oxide single crystals = Σφάλματα σε μονοκρυστάλλους GuO
Ch. Tsiranovits, Ιωάννης Ν. Στοϊμένος
|
185-195
|
|
Direct relations between fresnel' s amplitude coefficients for the boundaries of plane parallel absorbing plate = ’μμεσες σχέσεις μεταξύ των πλατών των συντελεστών fresnel για τις ενδοεπιφάνειες των παράλληλων επιπέδων απορροφήσεως
D. B. Kushev
|
197-201
|
|
Deep levels in Fe - doped InP and GaP investigated by optical absorption and double injection techniques = Μελέτη των βαθειών σταθμών των InP και GaP με προσμείξεις Fe με την τεχνική διπλής διαχύσεως και οπτικής απορροφήσεως
D. B. Kushev, A. S. Popov
|
203-204
|
| ©1999-2001 Βιβλιοθήκη "Θεόφραστος", Με την επιφύλαξη παντός νομίμου δικαιώματος. |
| Εφαρμογή / Διαχείριση Ιστοχώρου: Μηντζαρίδης Στέργιος |
| Η ανάπτυξη του site πραγματοποιήθηκε με την αποκλειστική χρήση Λογισμικού Ανοιχτού Κώδικα |
     |