Luminescence investigations on heavily doped semiconductors (on the base of gallium arsenide) = Μελέτη φθορισμού ημιαγωγών με μεγάλη συγκέντρωση προσμείξεων: περίπτωση GaAs

B. G. Arnaudov

Λέξεις κλειδιά


Doped semiconductors; Luminescence spectroscopy; Gallium arsenide; Ημιαγωγοί προσμείξεων; Φασματοσκοπία φθορισμού; Αρσενικό γάλλιο

Πλήρες Κείμενο:

PDF

Εισερχόμενη Αναφορά

  • Δεν υπάρχουν προς το παρόν εισερχόμενες αναφορές.


©1999-2001 Βιβλιοθήκη "Θεόφραστος", Με την επιφύλαξη παντός νομίμου δικαιώματος.
Εφαρμογή / Διαχείριση Ιστοχώρου: Μηντζαρίδης Στέργιος
Η ανάπτυξη του site πραγματοποιήθηκε με την αποκλειστική χρήση Λογισμικού Ανοιχτού Κώδικα