Near band - edge photoconductivity in heavily doped conpensated epitaxial gallium arsenide layers = Φωτοαγωγιμότης κοντά στην ακμή ταινίας σε επιταξιακά επίπεδα Ga - As με ισχυρή διάχυση προσμείξεων
S. Evtimova, B. G. Arnaudov
Λέξεις κλειδιά
Doped semiconductors; Gallium arsenide; Fluorimetry; Ημιαγωγοί προσμείξεων; Αρσενικό γάλλιο; Φωταύγεια
Εισερχόμενη Αναφορά
- Δεν υπάρχουν προς το παρόν εισερχόμενες αναφορές.
| ©1999-2001 Βιβλιοθήκη "Θεόφραστος", Με την επιφύλαξη παντός νομίμου δικαιώματος. |
| Εφαρμογή / Διαχείριση Ιστοχώρου: Μηντζαρίδης Στέργιος |
