Infrared photoconductivity in heavily doped and highly compensated gallium arsenide = Υπέρυθρη φωτοαγωγιμότητα στο GaAs με ισχυρή πρόσμειξη και μεγάλη αποκατάσταση

P. Gladkov, K. Ozanyan

Λέξεις κλειδιά


Doped semiconductors; Gallium arsenide semiconductors; Photoconductivity; Ημιαγωγοί προσμείξεων; Ημιαγωγοί αρσενικού γάλλιου; Φωτοαγωγιμότητα

Πλήρες Κείμενο:

PDF

Εισερχόμενη Αναφορά

  • Δεν υπάρχουν προς το παρόν εισερχόμενες αναφορές.


©1999-2001 Βιβλιοθήκη "Θεόφραστος", Με την επιφύλαξη παντός νομίμου δικαιώματος.
Εφαρμογή / Διαχείριση Ιστοχώρου: Μηντζαρίδης Στέργιος
Η ανάπτυξη του site πραγματοποιήθηκε με την αποκλειστική χρήση Λογισμικού Ανοιχτού Κώδικα